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 FAQ

Sollte ich InGaAs, Silizium oder Germanium wählen?

Die Wahl des Detektors wird durch verschiedene Parameter beeinflusst: Strahlgröße, Leistung und Wellenlänge. Im allgemeinen wird eine Photodiode die besten Ergebnisse erzielen, wenn sies bei Wellenlängen unterhalb der Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit benutzt wird. Selbst wenn der Kopf auch bei höheren Wellenlängen arbeiten kann, wird die Empfindlichkeit der Photodiode stark temperaturabhängig sein. Daher wird bei Wellenlängen oberhalb 950nm Silizium und oberhalb 1550nm InGaAs das Material der Wahl sein.

Die photosensitiven Flächen unserer Si- und Ge-Faseradapter-Detektorköpfe sind sehr ähnlich, wobei die Fläche des Siliziumdetektors etwas größer ist.

Bei Wellenlängen unterhalb von 800nm zeigt unser in den sichtbaren Bereich erweitertes InGaAs außerdem eine deutlich höhere Ansprechempfindlichkeit als Germanium.

Demgegenüber sind großflächige InGaAs-Detektoren unverhältnismäßig teuer. Daher ist dieses Material generell beschränkt auf ø3mm aktive Fläche. Da Germanium allerdings sehr viel preisgünstiger ist als InGaAs, können Photodioden mit großer aktiver Fläche kosteneffektiv hergestellt werden, um so die Messung größerer Strahlen zu ermöglichen. Mit unseren G3 Faserdetektoren können größere Faserkerne mit größerer Numerischer Apertur (NA) gemessen werden als mit den entsprechenden InGaAs Detektoren.

 

Welcher Detektor ist am geeignetsten zur Messung von YAG-Lasern bei 1064nm?

Die Wahl des Detektors wird durch unterschiedliche Parameter beeinflusst: Strahlgröße, Leistung und Wellenlänge. Zur Nutzung bei 1064nm stehen zwei Produkte zur Auswahl: OPM150G10 (oder G5) und OPM150UVS.

Die G5- bzw. G10-Version ist kostenintensiver als die UVS-Version. Andererseits ist sie genauer, da die Empfindlichkeit des UVS-Detektors bei Wellenlängen oberhalb 900nm temperaturabhängig ist – also auch bei 1064nm. Der Nutzer sollte dieses Preis-Leistungsverhältnis für die gegebene Anwendung berücksichtigen.

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